分野別プログラム

領域9

16日 E319会場　16aE319　9:30〜12:30

領域9
理論・シミュレーション・機械学習
（水素ダイナミクス）

1: α-Al₂O₃/α-Cr₂O₃界面における水素原子の拡散障壁増加のメカニズム; 北大院工; 國貞雄治, 佐野遼太朗, 坂口紀史
^●2: Machine Learning Molecular Dynamics on Hydrogen Dynamics on Cu Surfaces; Osaka Univ.; H Halim, Y Yamada, Y Morikawa
3: 密度汎関数理論計算を用いたホウ化水素シートの構造と水素貯蔵性能に関する研究; 阪大院工; 中俊介, 濱田幾太郎
^●4: Nonadiabatic effects in proton discharge on metal electrodes; The Univ. of Tokyo; Elvis Arguelles, Osamu Sugino

休憩　（10:30〜10:45)

5: 証拠理論とハイスループットDFT計算によるC2選択的eCO2RR多元合金の探索; 筑波計科セ^A, トヨタ自動車^B; 黒田文彬^A, 井部将也^B, 大谷実^A
6: 機械学習による高触媒活性ハイエントロピー合金クラスターの探索; 東大工^A, 産総研^B; 宮本健太郎^A, 大塚耕希^A, ルアン・コア・オー^A, 清水康司^{A, B}, ^○渡邉聡^A
7: 時分割X線回析によって観測された酸化反応に対するベイズ計測; 東大理, 東大新領域^A, NIMS^B, JASRI^C, 熊大理^D; 上原孝大, 竝河伴裕^A, 片上舜^A, 永田賢二^B, 河口彰吾^C, 小林慎太郎^C, 水牧仁一朗^D, 岡田真人^A
8: Mg金属電池スピネル酸化物正極表面の電解液分子分解反応機構：第一原理計算研究; 東工大化生研^A, 物材機構GREEN^B; 館山佳尚^{A, B}, 周文冲^B
^●9: Theoretical Study of Graphene Self-Assembly on the Diamond Surface for Carbon-Based Electronics; Osaka Univ.^A, Sumitomo Electric Ind.^B; John Isaac G. Enriquez^A, Takahiro Yamasaki^B, Masato Michiuchi^B, Harry Handoko Halim^A, Kouji Inagaki^A, Masaaki Geshi^A, Ikutaro Hamada^A, and Yoshitada Morikawa^A
^●10: Structural characterization of platinum single-atom catalysts supported on graphene edges using machine learning; Osaka Univ.; Beatriz Andrea Choi Tan, Nurul Ainu Sofi, Pham Ngoc Thanh, Yuji Hamamoto, Yoshitada Morikawa
11: Two-dimensional superconductivity in α-Sn(111) layer grown on SnTe(111); Univ. Tokyo, NIMS^A, Tokyo Inst. Tech.^B; Y. Guo, R. Akiyama, T. Konoike^A, S. Ichinokura^B, Y. Hattori^A, T. Takashiro, R. Hobara, T. Terashima^A, T. Hirahara^B, S. Uji^A, and ^○S. Hasegawa

16日 E319会場　16pE319　13:30〜16:30

領域9（1番目招待講演のみ領域5，領域10と合同）
表面計測
（分光・オペランド計測）

1: （招待講演）その場/オペランド表面科学計測による触媒反応プロセスの原子レベル可視化; 北海道大学　触媒科学研究所（北大触媒研）; 高草木達
^●2: Decomposition of Methanol on Layered PdTe₂ Controlled by Under-coordinated Pd; Nat'l. Central Univ., Nat'l. Tsing Hua Univ.^A, Nat'l. Yang Ming Chiao Tung Univ.^B, Nat'l. Cheng Kung Univ.^C, TCECM, NSTC^D, NSRRC^E, Nat'l. Changhua Univ. of Education^F; Jing-Wen Hsueh, Lai-Hsiang Kuo, Po-Han Chen^A, Wan-Hsin Chen^B, Chi-Yao Chuang^B, Chia-Nung Kuo^{C, D}, Chin-Shan Lue^{C, D}, Hung-Wei Shiu^E, Bo-Hong Liu^E, Chia-Hsin Wang^E, Yao-Jane Hsu^E, Chun-Liang Lin^B, Jyh-Pin Chou^F and ^○Meng-Fan Luo
3: 水蒸気雰囲気下における白金担持酸化チタン光触媒モデル表面上の仕事関数分布; 分子研^A, 総研大^B; 佐藤宏祐^A, 湊丈俊^A, 杉本敏樹^{A, B}
4: Cu(997)に吸着したホルメートの水素化過程：ジオキシメチレンおよびホルムアルデヒドの直接観測; 東大物性研; 吉岡晴香, 向井孝三, 田中駿介, 吉信淳
5: 二色レーザー誘起空気プラズマから発生させた赤外光パルスによる超広帯域振動分光; 東大物性研; 田中駿介, 亀山理紗子, 室谷悠太, 松田拓也, 神田夏輝, 松永隆佑, 吉信淳

休憩　（15:00〜15:15)

6: 時間遅延法を用いた位相敏感探針増強和周波発生分光による分子振動の高感度検出; 分子研^A, 総研大^B, 東北大^C; 櫻井敦教^{A, B}, 高橋翔太^A, 望月達人^{A, B}, 熊谷紘一^C, 平野智倫^C, 森田明弘^C, 杉本敏樹^{A, B}
7: 臭素化トリフェニルアミンのAuおよびAg(111)表面上におけるキラル選択的な自己組織化; 横浜市大; 大江弘晃, 高杉一城, 横山崇
8: 低温走査トンネル顕微鏡を用いたモデル触媒分子1,10-フェナントロリンの研究; 金沢大物理, 金沢大総合技術^A, 北大触媒研^B, 九州大^C; 小畑龍之介, Erlina Tik Man, 兼子裕矢, Tzu-Yen Cheng, 小畑由紀子, 島村一利^A, 林田健志^B, 武安光太郎^B, 中村潤児^C, 吉田靖雄
^●9: Observation of quantum diffusion of Hydrogen in epitaxial Vanadium film; Univ. of Tokyo-IIS^A, NIT-Akashi Col.^B, JAEA-ASRC^C; S.S. Das^A, T. Ozawa^A, T. Kawauchi^A, H. Nakanishi^B, K. Fukutani^{A, C}
10: Au(111)表面上のH₂Oの構造に対する蒸着温度依存性と原子状水素の影響; 東大生研; 越田裕之, Markus Wilde, 福谷克之

17日 S101会場　17aS101　9:00〜12:20

領域9，領域3，領域4，領域5，領域12
Probing Emergence of Functionalities at Surfaces

^●1: （一般シンポジウム講演）Opening remarks; Department of Electrophysics, NYCU; Lin Chun-Liang
^●2: （一般シンポジウム講演）Momentum-Dependent Sum-Frequency Vibrational Spectroscopy of Bonded Interface Layer at Charged Water Interfaces; Institute of Physics, Academia Sinica; Wen Yu-Chieh
^●3: （一般シンポジウム講演）Structure and dynamics of liquid interfaces by sum frequency generation spectroscopy; Department of Chemistry, Tohoku University; Kenichi Inoue
^●4: （一般シンポジウム講演）Surface Defects as Catalysts: DFT Analysis of Enhanced Reactivity in PtTe2 and PdTe2; Graduate School of Advanced Technology, National Taiwan University; Chou Jyh-Pin

休憩　（10:35〜10:50)

^●5: （一般シンポジウム講演）Second-order nonlinear susceptibility of monolayer ice on Pt(111): first-principles study; Cluster for Pioneering Research, RIKEN; Jun Haruyama
^●6: （一般シンポジウム講演）Unveiling the Dirac Nodal Line in the Hourglass Semimetal Nb3SiTe6; National Synchrotron Radiation Research Center; Liu Ro-Ya
^●7: （一般シンポジウム講演）X-ray nonlinear optics for materials science at SACLA; SPring-8 Center, RIKEN; Yuya Kubota

17日 E318会場　17pE318　13:30〜17:00

領域4（11番目のみ領域9と合同）
トポロジカル物質（理論）

^●1: Unveiling the Connection Between Molecular Chirality and Chiral Phonons; Univ. of Tokyo^A, Duke Univ.^B; Hanggai Noumin^B, ^○Feng-Feng Song^A, Naoki Kawashima^A, Peng Zhang^B, David N. Beratan^B
2: ディラック半金属とワイル半金属における内因性スピンネルンスト効果; 京大理^A, 京大基研^B, 東大物性研^C, 原子力機構先端基礎^D, 埼玉大^E; 松下太樹^{A, B}, 小沢耀弘^C, 荒木康史^D, 藤本純治^E, 佐藤昌利^B
3: Bernevig-Hughes-Zhang 模型における強磁場応答理論; 東大物性研; 數藤広之, 岡隆史
4: スピン1フェルミオン系の多バンドに由来した熱電効果; 名大理; 菊地理紗子, 山影相
5: ノーダルライン半金属ZrSiSにおける状態密度の増大を伴わない軌道常磁性; 東大総合文化, 東大理^A, 阪大理^B, 東北大理^C, 東大トランススケール^{A, D}; 尾崎壮駿, 松浦弘泰^A, 立石幾真^B, 是常隆^C, 小形正男^{A, D}
6: SSHモデルにおける高次高調波発生; 北大院工; 軽部由人, 小布施秀明

休憩　（15:00〜15:15)

7: 幾何学的ブロッホ・ゼナー振動による非相反電流の理論解析; 立命館大理工, 東大工^A, 日大生産工^B; 寺田伊吹, 北村想太^A, 渡部洋^B, 池田浩章
8: キタエフ鎖を含む干渉計における電気伝導特性の解析; 広大先進; 寳部祐斗, 高根美武
^●9: Topological boundary states and chiral Majorana modes at the half-Heusler interfaces; Dept. of Applied Phys. Univ. of Tokyo, RCAST Univ. of Tokyo^A, RIKEN CEMS^B; Tonghua Yu, Ryotaro Arita^{A, B}, Motoaki Hirayama^B
10: 高次スピントポロジカル絶縁体におけるドメインウォール状態; 阪大院理^A, ベングリオン大^B, 京大基研^C; 川上拓人^A, Igor Kuzmenko^B, Yshai Avishai^B, Yigal Meir^B, 佐藤昌利^C
11: トポロジカル物質の結晶成長におけるトポロジカル角部凝集現象; 理研CEMS, 中国科学院ITP^A, 東工大理^B; 田中悠太朗, Shuai Zhang^A, Tiantian Zhang^A, 村上修一^B
12: ブリージングカゴメ格子上の高次トポロジカル絶縁体におけるトポロジカルポンプ; 筑波大数理; 松本大輝, 溝口知成, 曽根和樹, 初貝安弘
13: 二層および三層の四重極トポロジカル絶縁体におけるトポロジカル相転移; 東大先端研^A, 東大工^B, 東工大IIR^C, 慶大理工^D, ナノ量子機構^E, 東大生研^F; 石田夏子^A, 江澤雅彦^B, 陸広泰^A, 林文博^C, 太田泰友^D, 荒川泰彦^E, 岩本敏^{A, F}

17日 E319会場　17pE319　13:30〜16:30

領域9（1番目招待講演のみ領域7，領域10，領域12と合同）
結晶成長

1: （招待講演）金属−有機構造体とソフトマテリアルの複合化; 豊田工大; 阿南静佳
2: 板状引力系コロイド結晶のクラスタ数分布の解析とその場観察による臨界核サイズの評価; 徳島大, 金沢大EMI^A; 鈴木良尚, 勝野弘康^A, 佐藤正英^A, 岸田啓吾
3: 水和ゲル中で成長したタンパク質結晶の形態変化; 横市大院生命ナノ; 鈴木海奈, 鈴木凌, 橘勝, 小島謙一
^●4: Effects of ambient nitrogen gas on the growth kinetics of elementary steps on ice crystal surfaces; 北大低温研; Yuheng Zhao, 村田憲一郎, 長嶋剣, 佐崎元
5: 大気中の微量酸性ガス成分が氷の気相成長ステップへ与える影響; 北大低温研; 長嶋剣, 村田憲一郎, 佐﨑元

休憩　（15:00〜15:15)

6: パルス電子線を用いた溶液環境の周期的変動が与える結晶成長への影響; 北大低; 木村勇気
7: 電子顕微鏡を用いたナノスケール結晶多形のその場観察と解析; 東大理; 中室貴幸, 榊原雅也, 中村栄一
8: Fe/Ge(111)表面構造の成長条件依存性; 名大院工^A, 名大未来研^B; 三浦直也^A, Shi Qing^A, 水口将輝^{A, B}, 宮町俊生^{A, B}
9: コロイドエピタキシャル成長における多形転移; 金大EM, 金大自然^A, 東北大金研^B; 佐藤正英, 向井神武^A, 野澤純^B
10: 表面荒さの成長駆動力・表面傾斜依存性：モンテカルロ計算; 九大応力研; 阿久津典子, 寒川義裕

17日 N101会場　17pN101　13:30〜17:20

領域9（シンポジウムは領域3，領域4，領域5，領域7，領域8と合同、招待講演は領域4，領域10と合同）
Revealing Novel States at Surface and Interface

^●1: （一般シンポジウム講演）Opening remarks; RIKEN, CPR; Jun Haruyama
^●2: （一般シンポジウム講演）Development of laser-based photoemission at the surfaces of metals and 2D materials; Institute of Atomic and Molecular Sciences, Academia Sinica; Chiang Cheng-Tien
^●3: （一般シンポジウム講演）Electronic Tuning of van-der-Waals Layered Compounds in Two-Dimensional Limit; Department of Physics, National Central University; Lin Meng-Kai
^●4: （一般シンポジウム講演）Probing Atomic-Scale Magnetism in Low-Dimensional Topological Quantum Materials; Department of Physics, National Tsing Hua University; Pin-Jui Hsu

休憩　（15:05〜15:20)

^●5: （一般シンポジウム講演）Direct Visualization of Disorder Driven Electronic Liquid Crystal Phases in Dirac Nodal Line Semimetal GdSbTe; Institute of Physics, Academia Sinica; Tien-Ming Chuang
^●6: （一般シンポジウム講演）Intercalation-driven van Hove singularity and superconductivity in graphene; Department of Physics, Tokyo Institute of Technology; Satoru Ichinokura
^●7: （一般シンポジウム講演）Topological mosaics and its boundary states in twisted van-der-Waals materials; Department of Physics, Osaka University; Ikuma Tateishi
^●8: （招待講演）How STM can help next-generation semiconductor industry?; Department of Electrophysics, NYCU; Chun-Liang Lin

18日 E319会場　18aE319　9:00〜11:45

領域9
原子層物質・トポロジカル物質

^●1: Atomic configuration of bismuthene on a Ag(111) substrate; ASRC, JAEA, ISSP, Univ. Tokyo^A; Y. Fukaya, I. Matsuda^A
2: ロジウム原子がインターカレートしたグラフェンの構造と電子状態; 福岡大工^A, 佐賀大シンクロトロン^B; 柳生数馬^A, 今村真幸^B, 高橋和敏^B, 鈴木孝将^A
3: 陽電子と光子を用いた量子ビーム協奏利用によるB/Al(111)の構造と電子状態の解明; 早大先進理工^A, 佐賀大シンクロトロン^B, 高エネ機構物構研^C, 東北大多元研^D; 庄司誠^A, 西山慶児^A, 武田朋也^A, 沼田川拓真^A, 今村真幸^B, 高橋和敏^B, 望月出海^C, 和田健^C, 兵頭俊夫^C, ^○高山あかり^{A, D}
^●4: Millimeter-scale growth of YCrB4 single crystals and observation of the metallic state by Angle resolved Photoelectron Spectroscopy; 東大物性研, 筑波大数理^A, KEK-物構研-PF^B, 九州大^C; Xiaoni Zhang, 辻川夕貴, 宮本将成, 山口寛月, 堀尾眞史, Mei Yuan^A, 小澤健一^B, 湯葢邦夫^C, 近藤剛弘^A, 松田巌
^●5: Distinct Exciton Auger Processes in WS₂/WSe₂ Moiré Heterobilayers; Nat'l. Tsing Hua Univ., Nat'l. Synchrotron Radiation Res. Center^A, Academia Sinica^B; Wei-Ting Hsu, @ Cheng-Syuan Cai^A, Wei-Yan Lai, Po-Hsuan Liu, Tzu-Chieh Chou^A, Chih-Ming Lin, Shangjr Gwo, Ro-Ya Liu^A
^●6: Tomography Scan of Charge Density Wave in NbSe₂; NYCU, NTUT^A, RCAS, Academia Sinica^B, NCKU^C, CECM, NSTC^D, Kyoto Univ.^E, IAMS, Academia Sinica^F, TKU^G, NSYSU^H, NCHU^I; Jyun-Yu Wu, Yung-Ting Lee^A, Guan-Hao Chen^B, Zheng-Hong Li, Chang-Tsan Lee, Jie-Yu Hsu, Chia-Nung Kuo^C, Juhn-Jong Lin, Wen-Hao Chang^B, Chin-Shan Lue^{C, D}, Noriaki Takagi^E, Po-Tuan Chen^A, Cheng-Tien Chiang^{F, G}, Chien-Cheng Kuo^H, Chien-Te Wu, Chi-Cheng Lee^G*, Ming-Chiang Chung^I*, Hung-Chung Hsueh^G*, Chun-Liang Lin*

休憩　（10:30〜10:45)

^●7: Ion Bombardment and Annealing Treatment: An Approach to Perfect TMDs Surfaces; Dept. of ElectroPhys., NYCU^A, Dept. of Phys., NCU^B, Dept. of Phys., NCKU^C, TCECM, NSTC^D, AISSM, NCKU^E, NSRRC^F, Inst. of Electron. Eng., NYCU^G, ICST, NYCU^H, Dept. of Phys., NCUE^I; Wan-Hsin Chen^A, Naoya Kawakami^A, Jing-Wen Hsueh^B, Lai-Hsiang Kuo^B, Jiun-Yu Chen^A, Ting-Wei Liao^B, Chia-Nung Kuo^{C, D}, Chin-Shan Lue^{C, D, E}, Yu-Ling Lai^F, Yao-Jane Hsu^F, Der-Hsien Lien^G, Chenming Hu^H, Jyh-Pin Chou^I, Meng-Fan Luo^B, Chun-Liang Lin^A
8: 移動（以下，講演時間繰り上げ）
9: Sb(111) 表面の実空間ランダウ準位分光; NIMS; 吉澤俊介, 鷺坂恵介
10: 取消（以下，講演時間繰り上げ）
11: 表面再構成により変化するSe蒸着Bi₂Se₃の電子状態計算; 兵県大院理; 山本陸人, 草部浩一, 北谷基治
12: Bi₂Te₃の水素スピン効果; 東京大生研^A, 原子力機構先端研^B; 大橋悠生^A, 小澤孝拓^A, 植田寛和^B, 越田裕之^A, 加藤弘一^A, Markus Wilde^A, 福谷克之^{A, B}

18日 B112会場　18pB112　13:30〜17:00

領域2，領域5，領域9，領域10
先端計測のフロンティア〜見えないモノを見る挑戦

1: （一般シンポジウム講演）はじめに; 大阪大学産業科学研究所（阪大産研）; 田中慎一郎
2: （一般シンポジウム講演）マテリアル研究のためのデータ基盤の構築; 物質・材料研究機構（NIMS）; 出村雅彦
3: （一般シンポジウム講演）太陽天体プラズマの多波長リモートセンシング技術; 国立天文台(国立天文台); 勝川行雄
4: （一般シンポジウム講演）定量的プラズマ乱流計測のための計測器連携; 自然科学研究機構　核融合科学研究所(核融合研); 小林達哉

休憩　（15:05〜15:20)

5: （一般シンポジウム講演）陽電子回折とデータ駆動科学が拓く表面原子配列解明の新境地; 高エネルギー加速器研究機構　(KEK); 和田健
6: （一般シンポジウム講演）光電子運動量顕微鏡による電子状態研究:ミルからワカルへ; 分子科学研究所(分子研); 松井文彦
7: （一般シンポジウム講演）レーザーで生成される非定常・非平衡・微小プラズマの高速高空間分解診断; 大阪大学レーザー科学研究所(阪大レーザー研); 藤岡慎介
8: （一般シンポジウム講演）まとめと将来展望; 自然科学研究機構　核融合科学研究所(核融合研); 星健夫

18日 E319会場　18pE319　13:30〜16:45

領域9
構造物性

1: ダイヤモンド(001)表面におけるアドダイマー構造の原子間力顕微鏡観察; 東大新領域, 東大物性研^A, 産総研^B; 安井勇気, 張潤楠, 福田将大^A, 尾崎泰助^A, 小倉政彦^B, 牧野俊晴^B, 竹内大輔^B, 杉本宜昭
2: Cu(111)表面に展開した多孔性有機金属薄膜におけるインジウムクラスターの成長; 群馬高専, 東大物性研^A; 塚原規志, 吉信淳^A
^●3: Unique orientation dependent lattice expansion of Au(111) on WS₂; Dept. of Electrophysics, NYCU, Internat'l. Col. of Semiconductor Tech., NYCU^A, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, CREDM^B, Kyoto Univ.^C; Wei-Tung Liu, Kuan-Bo Lin^A, Sen-Hao Chang, Hui-Ting Liu^A, Jyun-Yu Wu, Shu-Jui Chang^B, Noriaki Takagi^C, Chenming Hu*^A, Chun-Liang Lin*
4: 水素吸着によるAg(111)-Bi表面の再構成; 東大生研^A, 原子力機構先端研^B; 伊豆駿佑, 石崎雄士, 小澤孝拓^A, 福谷克之^{A, B}
5: Ag-In-Yb準結晶表面に吸着したペンタセンに関する第一原理計算; 鹿大院理工; 佐藤壮紀, 野澤和生
6: ハイエントロピーペロブスカイト型酸化物における水素による物性変調; 東大生研^A, 東工大物質理工学院^B, 東大理^C, 原子力機構先端研^D; 小澤孝拓^A, Kaidong Wang^B, 西尾和記^B, 清水亮太^{B, C}, 一杉太郎^{B, C}, 福谷克之^{A, D}

休憩　（15:00〜15:15)

^●7: Evaluation of Sub-nm Scale Roughness on HOPG through RHEED Spot Profiles; Nara Inst. Sci. Technol., Osaka Univ.^A, Yonago Col.^B; Rivaldo M. Tumbelaka, Yoshihiro Kitagawa, Juharni, Toh-ya Fujiwara, Yuki Ida, Azusa N. Hattori^A, Hiroki Momono^B, and Ken Hattori
8: Ni(111)表面への炭素析出によるツイスト2層グラフェンの成長と原子構造; 山梨大教育^A, 早稲田大理工^B; 長島礼人^A, 尾関光明^A, 神山結^A, 小田原玄樹^B
9: RHEED強度解析によるPd(100)表面直下の水素位置の正確さ; 東大生研^A, 電機大工^B, 原研先端基礎^C; 川村隆明^{A, B}, 小倉正平^B, 小澤孝拓^A, 深谷有喜^C, 福谷克之^{A, C}
10: 全反射高速陽電子回折(TRHEPD)によるPb/Ge(111)-(√3×√3)-β相の構造解析; 早稲田先進理工^A, 高エネ機構物構研^B, 東北大多元研^C; 孝橋麟太郎^A, 庄司誠^A, Lars Konermann^A, 望月出海^B, 和田健^B, 兵頭俊夫^B, 高山あかり^{A, C}
11: Si(111)7×7表面上へのAg単原子吸着; 東北大院理, ルンド大^A; 須藤彰三, 堀井広幸, 芳賀健也, J.R. Osiecki^A
12: Si(110)3×2-Sb, -Bi表面の層間Siダイマー構造; 東北大多元研, 東北大SRIS^A; リハクガン, テレングト雛子, 青山大晃, 山本孟, 虻川匡司^A

18日 N101会場　18pN101　13:30〜17:30

領域9
電子物性

1: 2ビームライン光電子運動量顕微鏡のAu(111)表面状態への応用例; 分子研^A, 総研大^B, 阪大産研^C; 萩原健太^A, 下ヶ橋龍之介^A, 佐藤祐輔^{A, B}, 田中慎一郎^C, 菅滋正^C, 松井文彦^{A, B}
^●2: Electronic Structure Investigation of Black Rutile TiO₂(110); Univ. of Tokyo^A, Tokyo Gakugei Univ.^B, JAEA^C; Muhammad Irfandi^A, Ryoka Kawano^B, Touma Ichikawa^B, Takahiro Ozawa^A, Masuaki Matsumoto^B, Katsuyuki Fukutani^{A, C}
3: ARPESによるカゴメ格子超伝導体LaRh₃B₂における新奇な表面状態; 東北大WPI-AIMR^A, 東北大院理^B, 東北大CSIS^C, パリ-サクレー大^D, 分子研UVSOR^E, 総研大^F, 量研機構^G, 高エ研物構研^H, 東北大多元研^I, 東北大SRIS^J, 東北大MathCCS^K; 加藤剛臣^A, 中山耕輔^B, 大隅拓海^B, 相馬清吾^{A, C}, 本間飛鳥^B, Alexandre Antezak^D, 田中清尚^{E, F}, 北村未歩^G, 小澤健一^H, 堀場弘司^G, 組頭広志^I, 高橋隆^B, Franck Fortuna^D, Andres Felipe Santander-Syro^D, 佐藤宇史^{A, B, C, J, K}
4: 超伝導体Kインターカレートグラフェンの電子構造の層数依存性; 東工大理, 分子研UVSOR^A; 中村達哉, 一ノ倉聖, 德田啓, 田中清尚^A, 平原徹
^●5: Study of Quantum Beat in Image-Potential States on Graphene/Ir(111) using Time-Resolved Two-Photon Photoemission Spectroscopy; NYCU (Taiwan), NIMS^A; Yu-Chan Tai^A, Chih-Wei Luo, Chun-Liang Lin, Ryuichi Arafune^A
6: 高分解能ARPESによるGaAs(111)B基板上のBi薄膜の電子状態; 東北大院理^A, 東北大WPI-AIMR^B, 東北大CSIS^C, 東北大SRIS^D, 東北大MathCCS^E; 八重樫健^A, 菅原克明^{A, B}, 高橋隆^A, 佐藤宇史^{A, B, C, D, E}
^●7: Microscopic Mechanism of Magnetic Stability in Monolayer Transition-Metal Dihalides; SANKEN, Osaka Univ., CSRN, Osaka Univ.^A; Thi Phuong Thao Nguyen, Kunihiko Yamauchi^A

休憩　（15:15〜15:30)

8: Si(111)上の鉛薄膜における構造および電子状態と表面電気伝導; 東大物性研; 土師将裕, 岡崎淳哉, 浜田雅之, 山田正理, 長谷川幸雄
9: Si(111)上の高密度鉛単原子層薄膜における構造および表面電気伝導の評価; 東大物性研, ライデン物理学研究所^A; 岡崎淳哉, 土師将裕, 浜田雅之, 佐藤優大^A, 長谷川幸雄
10: 走査トンネル顕微鏡を用いた高次アセンの単一分子分光; 東大院工, 理研^A, 物材機構^B, 横市大院生命ナノ^C, 京大化研^D; 望月香佳, 木村謙介^A, 林宏暢^B, 李民喜^A, 緒方里砂^C, 今田裕^A, 山田容子^D, 金有洙^A
11: コロネンの光電子スペクトルにおける振電構造の理論解析; 量子研, 千葉大^A; 野崎美沙, 岩原直也^A
^●12: Stability and Electronic Properties of SnS/ZnS Interfaces for Thin-Film Solar Cells: A First-Principles Study; Japan Advanced Inst. of Sci. and Tech.; Rohit Dahule, Kenta Hongo, Ryo Maezono
13: 実測量子準位に整合したSiバンド湾曲の群知能探索：V(z)表現依存性; 奈良先端大, 東北大^A, 阪大^B, 東工大^C; 小野太智, 市川涼太, Brian Godwin Lim, 湯川龍^A, 比嘉友大, Renzo Tan, 池田和司, 坂本一之^B, 筒井一生^C, 武田さくら
14: サブバンド準位から調べるSi空間電荷層中のキャリア分布の光起電力による変化; 奈良先端大, 東レリサーチ^A, 東北大^B, 阪大^C, 佐賀大^D; 武田さくら, 坂田智裕^A, 小野太智, 市川涼太, 奥村勇斗, 堀江里茉, Brian Godwin Lim, 湯川龍^B, Renzo Tan, 坂本一之^C, 山田敬一^A, 宮田洋明^A, 池田和司, 山本勇^D, 東純平^D
15: 窒素飽和吸着Cu(001)面のステップエッジ状態の起源; 東大物性研^A, 東工大物質理工^B, 名大未来研^C, 東大情報理工^D; 小森文夫^{A, B, C}, 小西優祐^A, 飯盛拓嗣^A, 吉本芳英^D, 宮町俊生^{A, C}

19日 E319会場　19aE319　9:00〜10:45

領域9
表面界面磁性

1: Bi(111)表面上の単層FeCl₂超薄膜の磁性と界面電子状態; 阪大院工, Univ. of Valencia (Spain)^A, Max Planck Inst. of Microstructure Phys. (Germany)^B; 寺川成海, Amilcar Bedoya-Pinto^A, Jingrong Ji^B, Gabriele Domaine^B, Emily C. McFarlane^B, Stuart S. P. Parkin^B, Niels B. M. Schröter^B
2: MnTe薄膜の電子状態と磁化特性およびそれらの基板依存性; 東工大理, NIMS^A, ALBA^B; 秋山亮介, 佐々木泰祐^A, M. Valvidares^B, 一ノ倉聖, 平原徹
3: 界面修飾による磁性トポロジカル絶縁体ヘテロ構造MnBi₂Te₄/Bi₂Te₃の異常ホール効果の変調; 東工大理, トムスク大学^A, NIMS^B, スペインINMA^C, スペインDIPC^D; 石原和宜, S. V. Eremeev^A, 一ノ倉聖, 西道広海, 佐々木泰祐^B, M. M. Otrokov^C, E. V. Chulkov^D, ^○平原徹
4: 超伝導Pb(111)表面に吸着した単分子磁石TbPc2とYPc2分子で観察される近藤共鳴とYSRピークによる分子内交換相互作用の観察; 東北大理, 東北大多元研^A, 物材機構^B; Dey Shishir Kumar, Wang Zhipeng, Ali Md. Arafat, Shahed S.M.D.^A, 荒船竜一^B, ^○米田忠弘^A
5: STMへのRF信号入射による超伝導Pb(111)表面に吸着した単分子磁石TbPc2とYPc2分子の化学分析; 東北大理, 東北大多元研^A; Dey Shishir Kumar, Chowdhury Uttam, Ali Md. Arafat, Shahed S.M.D.^A, ^○高岡毅^A, 米田忠弘^A
^●6: Microscopic insights into magnetic anisotropies of Gd/Co bilayer; Nat'l. Sun Yat-sen Univ.^A, Chung Yuan Christian Univ.^B, Nat'l. NSRRC, Taiwan^C, IAMS Academic Sinica^D; Liang-Wei Lan^A, Aldrin Chang^A, Wei-Ming Li^B, Swati Kanojia^A, Jyun-Syong Jhuang^C, Wei-Sheng Chiu^C, Cheng-Tien Chiang^D, Chii-bin Wu^B, Tzu-Hung Chuang^C, ^○Chien-Cheng Kuo^A
7: Co表面からRb原子への光誘起脱離に伴うスピン移行の観測; 農工大工; 田邊直樹, 浅川寛太, 畠山温